База даних Перспективні винаходи України
Українська  English


Вхід
Ім'я:
Пароль:
Зареєструватись
НАПІВПРОВІДНИКОВИЙ СЦИНТИЛЯЦІЙНИЙ МАТЕРІАЛ НА ОСНОВІ АКТИВОВАНОГО СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ ТА СПОСІБ ЙОГО ОДЕРЖАННЯ
Номер патенту92286
Дата набуття чинності11.10.2010
Індекс МПКC30B 29/10 (2006.01), G01T 1/202 (2006.01), C30B 29/46 (2006.01)
Дата подання заявки29.10.2009
ВинахідникБреславський Ігор Анатолійович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Гриньов Борис Викторович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович
Власник патентуІнститут сцинтиояційних матеріалів НАН України
Реферат

Винахід забезпечує одержання нових напивпровідникових сцинтиляційний матеріалів з максимумом випромінювання при 590 нм, зниження до 0,2% через 5 мс рівня післясвітіння при збереженні світлового виходу на рівні 120-130% від йодистого цезію, активованого талієм, на рівень неоднородності сцинтиляційного сигналу не більш, ніж 5%/см. Крім того, отриманий сцинтиляційний матеріал за комплексом параметрів задовольняє сучасним вимогам до матеріалів, що можуть застосовуватися у позиційно-чутливих детекторах рентгенівських сканерів та медичних томографів.

У напівпровідниковому сцинтиляційному матеріалі на основі активованого селеніду цинку активуючими домішками є індій, або галій, або алюміній при співвідношенні компонентів, %

активуюча домішка    1.10-5-1.10-3

ZnSe                            інше

Спосіб отримання напівпровідникового сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинк включає попередню підготовку сировини, шляхом подрібнення попередньо вирощеного активованого кристалу та вирощування кристалу з розплаву під тиском інертного газу. Попереднє вирощування кристалу здійснюють із шихти з концентрацією активуючого елементу 2,5•10-2-1•10-1% мольн., а подрібнення вирощеного злитку здійснюють до розміру часток 0,01 - 0,1 мм в інертному середовищі і далі отриманий порошок додають у вихідний селенід цинку в концентрації, необхідній для отримання концентрації активуючого елементу в кристалі в інтервалі 1•10-5- 1•10-3% мольн., після чого вирощений кристал витримують в безградіентній зоні при температурі 800-1200°С.

Формула
Технічний результат

В основу дійсного винаходу поставлена задача розробки напівпровідникових сцинтиляційних матеріалів на основі активованого селеніду цинку, що мають знижений рівень після світіння при збереженні світлового виходу на рівні кращих з приведених вище зразків та рівень неоднорідності сцинтиляційного сигналу в радіальній та осьовій площинах кристалічної були не більше, ніж 5%/см, розширення номенклатури напівпровідникових сцинтиляційних матеріалів, що можуть застосовуватися також у позиційно-чутливих детекторах рентгенівських сканерів та медичних томографів, і можуть бути отримані більш простим способом без термообробки кристалів в парах власних компонентів.

Галузь застосуванняЦифрові радіографічні системи, комп'ютерна томографія
Ступінь готовності до впровадженняДослідне виробництво